上海- 西部數(shù)據(jù)公司（NASDAQ：WDC）日前宣布，與合作伙伴鎧俠聯(lián)合研發(fā)出全新的3D閃存技術(shù)，展示了雙方持續(xù)攜手創(chuàng)新的成果。該技術(shù)采用先進(jìn)的縮放和晶圓鍵合技術(shù)，能夠以更低的成本提供具備卓越容量、性能和可靠性的解決方案，以滿足各行業(yè)呈指數(shù)級增長的數(shù)據(jù)存儲需求。

    西部數(shù)據(jù)公司技術(shù)與戰(zhàn)略高級副總裁Alper Ilkbahar表示：“全新的3D閃存技術(shù)展現(xiàn)了我們與鎧俠強(qiáng)有力的協(xié)作以及雙方在技術(shù)創(chuàng)新上的地位。通過堅(jiān)持共同的創(chuàng)新研發(fā)路線，并持續(xù)研發(fā)投資，我們已能夠提前將這一基礎(chǔ)性技術(shù)產(chǎn)品化，并提供高性能、高性價(jià)比的解決方案。”

    西部數(shù)據(jù)公司和鎧俠通過引入一系列獨(dú)特的工藝和架構(gòu)來降低成本，從而實(shí)現(xiàn)持續(xù)的橫向進(jìn)展。全新的3D閃存技術(shù)在縱向和橫向上取得了縮放平衡，讓層數(shù)更少、體積更小的晶圓實(shí)現(xiàn)更大的容量，并在成本方面實(shí)現(xiàn)了優(yōu)化。雙方還開發(fā)了突破性的CBA（CMOS directly Bonded to Array，外圍電路直接鍵合到存儲陣列）技術(shù)，使每個(gè)外圍電路晶圓和單元存儲陣列晶圓都在更優(yōu)的條件下單獨(dú)制造，并通過鍵合來提供更高的位密度和更快的NAND I/O速度。